万帅
,
吕文中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00157
研究了锌硼玻璃掺杂量对低压ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响. 结果表明, 当掺杂量x=0.1wt%时, 可以得到较好综合性能的ZnO压敏电阻：E1mA＝36.7V/mm, α=30.4, IL=0.1μA. 并应用晶粒生长动力学唯象理论研究了锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻的晶粒生长规律, 探讨了锌硼玻璃掺杂对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长的作用机理. 当烧结温度T≤1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈4.54, 激活能Q≈316.5kJ/mol, 这是由于未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了ZnO压敏陶瓷晶粒的生长; 而当T>1000℃时, 其晶粒生长动力学指数n≈2.92, 激活能Q=187kJ/mol, 这是由于熔融的锌硼玻璃通过液相烧结机理促进了晶粒的生长.
关键词:
锌硼玻璃
,
varistor
,
electrical properties
,
kinetic exponent
,
apparent activation energy
万帅
,
吕文中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00811
研究了铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏电阻微观结构和非线性特性的影响. 由SEM结果可知: 在900℃烧结时, 低熔点铋硼玻璃通过液相烧结机制能够促进氧化锌晶粒生长和提高晶粒分布的均匀性; 然而, 未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了氧化锌压敏陶瓷晶粒的生长. 当铋硼玻璃掺杂量为2wt%时, 可以得到最佳非线性特性: 电位梯度E1mA= 124.9V/mm, 非线性系数α=46.2, 漏电流密度JL= 0.2μA/cm2. 对铋硼玻璃掺杂压敏电阻来说, 其晶粒生长动力学指数和激活能Q要远小于锌硼玻璃掺杂压敏电阻, 仅为n≈2.15和146.2 kJ/mol. 以上分析表明: 与锌硼玻璃相比, 铋硼玻璃能够更有效的促进氧化锌晶粒生长, 改善ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏电阻的微观结构, 提高非线性特性.
关键词:
锌硼玻璃
,
Bi2O3-B2O3 glass
,
varistor
,
electrical properties
,
kinetic of grain growth
陶颖
,
陈振华
,
祝宝军
,
黄尉庄
无机材料学报
采用软溶胶-凝胶技术在金属Ni基体上一步合成LiCoO2薄膜电极.其合成条件是:含钴离子和锂离子的溶液、反应温度100℃、反应压力0.1MPa、电流密度0～10mA/cm2、反应时间20h.XRD、XPS、SEM、循环伏安和恒电流充、放电等测试表明:薄膜电极LiCoO2晶体为R3m型结构;薄膜具有(101)方向的择优取向,其大小均匀、直径约为0.3μm的晶粒层状生长,层与层之间结合较紧密且有较多微孔;薄膜电极表现为多孔电极,具有良好的电性能.软溶胶-凝胶法制备薄膜电极,工艺流程短、能耗低,具有很大的发展潜力.
关键词:
软溶胶-凝胶法
,
soft solution processing
,
thin-film electron
,
null
王华
无机材料学报
采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
oriented growth
,
sol-gel technique
陶颖
,
陈振华
,
祝宝军
无机材料学报
采用水热电化学法在Ni基体上制备了LiCoO2薄膜.反应温度影响薄膜的择优取向,80℃时制备的薄膜具有(003)取向,100℃制备的LiCoO2薄膜具有(101)和(104)取向,150℃时制备的薄膜取向性不明显.其中以100℃制备的(101)取向LiCoO2薄膜的电化学性能最好,其容量为143mAh/g;10次充放电后,薄膜电极容量衰减小.
关键词:
水热电化学法
,
LiCoO2 film
,
preferred oriention
,
electrochemical characterization
康雪雅
,
常爱民
,
韩英
,
王天雕
,
陶明德
,
涂铭旌
无机材料学报
对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结，通过XRD、SEM分析和电性能测试，与普通烧结比较，微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，显著缩短烧结时间；在相同晶粒尺寸下，微波烧结温度更低，瓷体更致密；并能获得较好电性能．微波烧结为ZnO压敏陶瓷材料制备提供了一条新的、高效节能的途径．
关键词:
微波烧结
,
null
,
null
,
null
田无边
,
王佩玲
,
张国军
,
阚艳梅
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00189
以铬粉, 铝粉和石墨为原料, 采用热压方法制备Cr2AlC陶瓷材料. 研究了组成、烧结温度对试样物相和密度的影响. 研究结果表明, 当原始组分中Al过量低于20at％时, 样品中的主相为Cr2 AlC, 另有微量的Cr7C3 相. Al过量超过20at％时, 样品为Cr2AlC单相. 试样的块体密度随Al过量的增大而下降. Al过量10at％在1400 ℃热压1h试样的室温硬度、弯曲强度和杨氏模量分别为3.5GPa, 375MPa和278GPa. 在75～269K温度区间, 样品的电导率随温度增加而线性地减少, 具有金属特性. 文中还报道了样品的热学性能.
关键词:
Cr2AlC
,
hot-pressed
,
ceramic
,
electric property
,
thermal conduction
朱君
,
罗君
,
张庆猛
,
杜军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00613
玻璃陶瓷电容器内电极结构及界面形貌对电性能有重要影响. 采用磁控溅射法在介质层与银浆料电极间分别制备了Pt、Au、Cu和Ag金属膜内电极层, 研究此电极层对Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷电容器电性能的影响. 与单层浆料的电极结构相比, 引入Pt、Au金属膜可以更有效地改善电性能: 等效电容值增加25%, 漏电流降低一个数量级. 由SEM结果可知: Pt、Au、Cu膜与玻璃陶瓷紧密的界面接触能够抑制银向介质中扩散; 然而, 采用单层银浆料或引入Ag金属膜的样品界面多孔且银扩散严重. 以上分析表明: Pt、Au金属膜电极层能够改善玻璃陶瓷电容器界面微观结构, 有效抑制银的扩散, 提高整体电性能.
关键词:
金属膜
,
inner electrode
,
glass ceramic capacitors
,
electrical properties
,
diffusion
郝素娥
,
韦永德
无机材料学报
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的.
关键词:
BaTiO3
,
Sm2O3 dopant
,
electric characteristics
,
sol-gel
